広い(>102)オン/オフ窓,可変同調形μA範囲スイッチング電流と優れた変動と内部界面エンジニアリングによる進歩したa VMCO抵抗スイッチングメモリ【Powered by NICT】

Govoreanu B.; Di Piazza L.; Ma J.; Conard T.; Vanleenhove A.; Belmonte A.; Radisic D.; Popovici M.; Velea A.; Redolfi A.; Richard O.; Clima S.; Adelmann C.; Bender H.; Jurczak M.

文献

J-GLOBAL ID：201602241600671507 整理番号：16A0977993

広い(>102)オン/オフ窓,可変同調形μA範囲スイッチング電流と優れた変動と内部界面エンジニアリングによる進歩したa VMCO抵抗スイッチングメモリ【Powered by NICT】

Advanced a-VMCO resistive switching memory through inner interface engineering with wide (>10²) on/off window, tunable μA-range switching current and excellent variability

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著者 (15件)： , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 2016 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

自己整流,自己準拠,フォーミングフリーとアナログ挙動を伴う進行a VMCO nonfilamentary抵抗スイッチングメモリセルを実証した。BEOLに適合性のあるプロセスは優れたデバイスごとの可変性を持つ素子を,40nmサイズまで低下した。Si/TiO_2界面の詳細な解析は,障壁抵抗変調,より広いオン/オフウィンドウと電流低減のために設計されたを理解を可能にし,優れた変動性を保持している。内界面工学デバイスは40nmサイズ細胞のためのまで1μAの10~2およびリセットスイッチング電流以上のオン/オフ窓を持ち,サイズのスケーリング,信頼性を損なうことなく。さらに,垂直スタックスケーリングは動作電圧を減少させることができる,デバイス性能を維持または調整した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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半導体集積回路 , 図形・画像処理一般

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