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J-GLOBAL ID：201602242172432360   整理番号：15A1180303

Threshold switching uniformity in In2Se3 nanowire-based phase change memory

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著者 (3件)：
Chen Jian

Chen Jian について

(Shenzhen Graduate School, Peking Univ., Shenzhen)

Shenzhen Graduate School, Peking Univ., Shenzhen について

, 
Du Gang

Du Gang について

(Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)

Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing について

, 
Liu Xiaoyan

Liu Xiaoyan について

(Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)

Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing について


資料名：
Chinese Physics B  (Chinese Physics B)

Chinese Physics B について


巻： 24  号： 5  ページ： 057702-1-057702-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

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