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J-GLOBAL ID：201602242454471367   整理番号：16A0771665

弾道グラフェンベーストランジスタの厳密なシミュレーション【Powered by NICT】

Rigorous simulation of ballistic graphene-based transistor

著者 (2件)： Mencarelli D. (Universita Politecnica delle Marche, Ancona, Italy) ,  Pierantoni L. (Universita Politecnica delle Marche, Ancona, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMS  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェントランジスタは現在,深い研究の対象,理論的および実験的方向した。本論文では,デバイス挙動の知識を向上させるナノスケールまで厳密なツールを提供するために,グラフェン系FETの自己無撞着解析を示し,弾道フレームワークである。なお,多くの点が残っている,は上記弾道デバイスの全ての特徴を捉えることができる数値ツールが強く求められている。分析は,グラフェン波動関数のDirac記述,ゆっくり変化するポテンシャル摂動の抱えるにより行った。電荷-電位自己無撞着性は輸送方程式とPoisson方程式の反復により保証される。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポテンシャル ,  摂動 ,  Poisson方程式 ,  *グラフェン ,  電荷 ,  波動関数 ,  電位 ,  ナノスケール
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  グラフェントランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 弾道 ,  シミュレーション