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J-GLOBAL ID：201602243084932541   整理番号：16A0516696

サブナノメートル直径の垂直配列単層カーボンナノチューブの銅固定コバルト触媒を使った合成

Synthesis of subnanometer-diameter vertically aligned single-walled carbon nanotubes with copper-anchored cobalt catalysts

著者 (9件)： Cui Kehang (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Tokyo 113-8656, Japan. [e-mail]) ,  Kumamoto Akihito ,  Xiang Rong ,  An Hua ,  Wang Benjamin ,  Inoue Taiki ,  Chiashi Shohei ,  Ikuhara Yuichi ,  Maruyama Shigeo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 8  号： 3  ページ： 1608-1617  発行年： 2016年01月21日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブナノメートル直径の垂直配列単層カーボンナノチューブ(VA-SWNT)をCuアンカードCo触媒を用いたアルコールCVDにより石英(及びSiO₂/Si)基板上に合成した。800°CのCVD温度で合成した直径1nmの一様なVA-SWNTは数十μmの厚さを有していた。G/D比を24以上に保ち,650°CでSWNTの直径を0.75nmまで減少させた。Co/Cuバイメタル触媒系の走査型透過電子顕微鏡エネルギー分散X線分光(EDS-STEM),及び高角環状暗視野(HAADF-STEM)画像から,Co触媒は隣接するCuナノ粒子によって捉えられ,固定されていることが分かった。従って,Co触媒が合体してより大きくなることが阻止された。このことがSWNTの小さな直径に寄与した。触媒サイズとSWNT直径との相関関係を実験的に明らかにした。サブナノメートル直径の高品質SWNTはシリコンに代わる次世代オプトエレクトロニック及び光起電力デバイスへの道を開くことが期待される。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  コバルト化合物 ,  遷移金属触媒 ,  ナノ粒子 ,  合成 ,  Ramanスペクトル ,  紫外可視吸収スペクトル ,  機構 ,  *結晶成長 ,  光学ギャップ ,  化学蒸着
準シソーラス用語： *コバルト触媒 ,  Cuナノ粒子 ,  成長機構 ,  光学バンドギャップ ,  CVD【化学蒸着】

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 直径 ,  垂直配列 ,  単層カーボンナノチューブ ,  銅 ,  コバルト触媒