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J-GLOBAL ID：201602243247552681   整理番号：13A0936655

Effect of Al_2O_3 Interfacial-Passivation and Anneal Process on Electrical Properties of Gd_2O_3-HfO_2 Films on Si Substrate

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著者 (6件)：
Guo Yiwen

Guo Yiwen について

(Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing)

Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing について

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Zhang Xinqiang

Zhang Xinqiang について

(Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing)

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Xiong Yuhua

Xiong Yuhua について

(Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing)

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Du Jun

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(Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing)

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Yang Mengmeng

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(Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing)

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Zhao Hongbin

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(Advanced Electronic Materials Inst.,General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing)

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資料名：
Xiyou Jinshu  (Xiyou Jinshu)

Xiyou Jinshu について


巻： 36  号： 3  ページ： 415-418  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2058A  ISSN： 0258-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)
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Si

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