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J-GLOBAL ID:201602245200956703   整理番号:16A0795700

HOPGにおいて根の過塩素酸陰イオン埋込み挙動のEC-STM研究【JST・京大機械翻訳】

Intercalation of ClO_4 - into HOPG Investigated by EC-STM
著者 (4件):
資料名:
巻: 21  号:ページ: 560-565  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2499A  ISSN: 1006-3471  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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電気化学的走査型トンネル顕微鏡(EC-STM)とサイクリックボルタンメトリー(CV)技術を用いて過塩素酸根アニオンCLO_4-高指向熱分解グラファイトの解 (HOPG)中の電気化学的インターカレーション挙動に対して研究を行った。インターカレーション前後の黒鉛ステップ処高度の変化を観察することによって,インターカレーションに及ぼす比較した異なる高さの段差の影響は,CLO_4-イオンインターカレーショングラファイトの実現可能性の可逆性とインターカレーション速度を論じた。研究は,CLO_4-の比較的可逆ステップでの4次の埋め込みが3層以上のステップ4次と三次のインターカレーションによるステップ高さの変化が観測される可能性があるようやく位,48つの原子層のグラファイトのステップを実現できることを示したしかしない埋め込みによって引き起こされる観察1~ 2層ステップ箇所のステップの高さの変化に,埋込み反応は通常ステップの剥離と脱落現象を伴う。4次のインターカレーション反応より三階可逆,2次および1次のとき,インターカレーション反応電位に必要な比較的高い,その際には酸化反応が比較的激しく,隠蔽された埋め込み反応を,ステップの高さの変化を観測するのは難しく,より多くの形態変化は不可逆メサステップと箇所の剥がれのような損傷、断層、黒坑等である。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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二次電池  ,  電極過程 

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