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J-GLOBAL ID：201602246182355021   整理番号：16A0942003

強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製

著者 (8件)： 柄谷涼太 (金沢大) ,  古市浩幹 (金沢大) ,  馬場一気 (金沢大) ,  森陽介 (金沢大) ,  吉田稜 (金沢大) ,  中嶋宇史 (東京理大) ,  徳田規夫 (金沢大) ,  川江健 (金沢大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-P2-12  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ダイヤモンド ,  *MISFET ,  *強誘電体FET ,  *ボロンドープダイヤモンド ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： *強誘電体ゲートFET ,  *ホウ素ドープダイヤモンド

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  FET ,  作製