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J-GLOBAL ID：201602247132375048   整理番号：16A0078675

Geドープ6H-SiCの電気的および光学的性質の理論的研究【Powered by NICT】

Theoretical Study of Electrical and Optical Properties of Ge-Doped 6H-SiC

著者 (5件)： Zang Yuan (Dep. of Electronic Engineering, Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  Cao Lin (Dep. of Electronic Engineering, Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  Li Lianbi (Dep. of Electronic Engineering, Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  Lin Tao (Dep. of Electronic Engineering, Xi’an Univ. of Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  Yang Fei (Dep. of New Electrical Materials & Microelectronics, State Grid Smart Grid Res. Inst., Beijing)
資料名： Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan  (Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan)
巻： 52  号： 6  ページ： 061607-01-061607-07  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2698A  ISSN： 1006-4125  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Geドープ6H-SiC(Ge_xSi_(1-x)C)の電子構造と光学特性を,密度汎関数理論に基づく全エネルギー平面波超ソフト擬ポテンシャル法により計算した。不純物の形成エネルギーは,Geドーパントは,より低いエネルギーとより安定な状態のための置換Siサイトを優先的に占有することを示した。バンド構造,状態密度および6H-SiCのオプトエレクトロニック特性は,価電子帯最大はC-2p状態により決まり,伝導バンド最小値はSi-3p軌道により占有されることを示した。多くのGe含有量は構造内に取り込まれると,Ge_xSi_(1-x)での伝導帯最小はGeの4p状態により決定される低いエネルギーと変化へと移っている。誘電関数は最大Ge含有量を持つGe-(0.333)Si-(0.667)Cにおける電子遷移である6H SiCにおけるよりも簡単なことを示し,その吸収端とピークは赤-0.9eVおよび3.5eVだけ低エネルギーにシフトした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  密度汎関数法 ,  伝導バンド ,  不純物 ,  全エネルギー ,  誘電関数 ,  状態密度 ,  平面波 ,  *ゲルマニウム ,  ドーパント ,  価電子バンド ,  擬ポテンシャル法 ,  *ドーピング ,  *6H-炭化ケイ素
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  *6H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  ドープ ,  6H-SiC ,  光学的性質 ,  理論 ,  研究