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J-GLOBAL ID：201602247280426360   整理番号：13A1235863

Sb Rich Ge_2Sb_5Te_5 Alloy for High-Speed Phase Change Random Access Memory Applications

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著者 (3件)：
Zhang Qi

Zhang Qi について

(School of Electronic Sci. & Engineering, Southeast Univ. Key Lab. of MEMS of Ministry of Education)

School of Electronic Sci. & Engineering, Southeast Univ. Key Lab. of MEMS of Ministry of Education について

, 
Song Sannian

Song Sannian について

(Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...)

Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ... について

, 
Xu Feng

Xu Feng について

(School of Electronic Sci. & Engineering, Southeast Univ. Key Lab. of MEMS of Ministry of Education)

School of Electronic Sci. & Engineering, Southeast Univ. Key Lab. of MEMS of Ministry of Education について


資料名：
Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)

Chinese Physics Letters について


巻： 29  号： 10  ページ： 107802-1-107802-3  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
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Sb

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RICH

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