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J-GLOBAL ID：201602247364976176   整理番号：16A0715845

チップ増強ラマン分光による4H-SiC(0001)C面上単層グラフェンアイランドの解析

著者 (7件)： 上村奨平 (関西学院大 大学院) ,  SANPON Vantasin (関西学院大 大学院) ,  田中嘉人 (東大 生産技研) ,  久津間保徳 (関西学院大 大学院) ,  北濱康孝 (関西学院大 大学院) ,  金子忠昭 (関西学院大 大学院) ,  尾崎幸洋 (関西学院大 大学院)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 96th  ページ： ROMBUNNO.2E6-51  発行年： 2016年03月10日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,チップ増強ラマン分光(TERS)を用いて4H-SiC C面上グラフェンマイクロアイランドの解析を行った。ラマンマッピング,SEMとAFMの測定結果からグラフェン全体に渡り均一な欠陥のない単層グラフェンであることが分かった。しかしながら,AFM測定の結果から表面に多くのリッジナノ構造が存在しており,それらが及ぼす影響を解明するためTERS測定を行うことで,リッジナノ構造とラマンスペクトルとの関係性を明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *表面増強Raman分光法 ,  炭化ケイ素 ,  結晶面 ,  *グラフェン ,  ナノ構造 ,  *島状構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  インテグリティ ,  単一層 ,  気固界面
準シソーラス用語： チップ増強Raman分光法 ,  無欠陥性 ,  固気界面

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 増強 ,  ラマン分光 ,  4H-SiC ,  単層グラフェン ,  アイランド ,  解析