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J-GLOBAL ID：201602250288905178   整理番号：16A0769384

パネルベースガラスインタポーザ用の新しい超薄ドライフィルム感光性誘電体を用いた20μm I/OピッチRDLの実証【Powered by NICT】

Demonstration of 20 um I/O Pitch RDL Using a Novel, Ultra-Thin Dry Film Photosensitive Dielectric for Panel-Based Glass Interposers

著者 (8件)： Kubo Atsushi ,  Nair Chandrasekharan ,  Furuya Ryuta ,  Ando Tomoyuki ,  Lu Hao ,  Liu Fuhan ,  Sundaram Venky ,  Tummala Rao
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECTC  ページ： 172-177  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,初めて,高密度,パネルスケール2.5Dガラスインターポーザとファンアウトパッケージのための新しい,超薄ドライフィルム感光性誘電体材料を用いた低コスト再分布層(RDL)積重ねを実証した。セミアディティブプロセスに基づくRDLデモンストレータの顕著な特徴は次のものを含む:(1)4μmピッチで2μmのCuトレースの20μmピッチと脱出経路選定で5μmマイクロバイアの統合による二金属層RDL構造。(2)超5μmドライフィルム感光性誘電体中の低コストi線365nm UVフォトリソグラフィープロセスを用いて作製した5μmマイクロバイア。議論におけるIF4605(5μm厚)とIF4610(10μm厚),新しい感光性誘電体は主としてエポキシ高分子系乾燥膜。エポキシ樹脂は,今日を従来パッケージ基板で使用されている標準高分子誘電体である。また,従来のエポキシ誘電体を用いた場合のようにIF膜は低い誘電率と低い硬化温度を持っていた。20μm I/Oピッチインターポーザまたはファンアウトパッケージ用IFドライフィルムを持つ多層RDLスタックを実証するであろう。バリアとシード層はそれぞれパネルベーススパッタリング法は,TiとCuを堆積させるために用いられるであろう。これはまた,微細ピッチCuトレースの高収率と信頼性を確実にする。微細ピッチCu photoviasの信頼性は,現在,熱サイクル試験(TCT)に対して評価されている。初期の結果は,論文に提示されている。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  再分布 ,  チタン ,  信頼性 ,  エポキシ樹脂 ,  銅 ,  誘電材料 ,  経路選定 ,  *誘電体 ,  通信操作 ,  熱サイクル試験 ,  硬化温度 ,  パッケージ基板 ,  高密度 ,  *ドライフィルム
準シソーラス用語： シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドライフィルム ,  感光性 ,  誘電体 ,  ピッチ ,  実証