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J-GLOBAL ID：201602250481380682   整理番号：16A1362118

有機Mottトランジスタにおける伝導率及びSeebeck係数の同時増倍

Simultaneous enhancement of conductivity and Seebeck coefficient in an organic Mott transistor

著者 (9件)： Kawasugi Yoshitaka (Condensed Molecular Materials Laboratory, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Seki Kazuhiro (Computational Condensed Matter Physics Laboratory, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Edagawa Yusuke (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Sato Yoshiaki (Condensed Molecular Materials Laboratory, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Pu Jiang (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Takenobu Taishi (Department of Applied Physics, Nagoya University Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8601, Japan) ,  Yunoki Seiji (Computational Condensed Matter Physics Laboratory, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Yamamoto Hiroshi M. (Condensed Molecular Materials Laboratory, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Kato Reizo (Condensed Molecular Materials Laboratory, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 23  ページ： 233301-233301-4  発行年： 2016年12月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *絶縁体 ,  *電気伝導率 ,  *輸送係数 ,  ドーピング ,  *擬ギャップ ,  状態密度 ,  *Seebeck係数 ,  電子ドーピング ,  正孔ドーピング ,  *Mott-Hubbard絶縁体
準シソーラス用語： *電気二重層トランジスタ ,  *Mott絶縁体

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  伝導率 ,  Seebeck係数