抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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単層グラフェンを積み重ねることでグラフェン層間化合物を作製した。単層グラフェンの作製には,CVD法化学気相成長(Chemical Vapor Deposition:CVD)法を用いてCu箔上に作製した。CVD法により成長させたグラフェンを,ポリメチルメタクリレート(Poly methyl methacrylate:PMMA)を保護膜としてSiO
2/Si基板へ転写した。Cu箔とPMMA膜を除去するためFe(NO
3)
3と酢酸を用いてエッチングを行った。転写後,再度,グラフェン/SiO
2/Si上にグラフェンを転写することで2層グラフェン層間化合物を作製した。2回目のエッチングにおいて溶液をグラフェン間に残すことで2層グラフェンに金属をインタカレートした。この2層グラフェン層間化合物の電気伝導特性,Ramanスペクトルを測定した。(著者抄録)