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J-GLOBAL ID：201602251828496480   整理番号：16A1265187

バンドギャップ電圧基準に適用したマルチポートCIM CIモデリングアプローチ【Powered by NICT】

Multiport ICIM-CI modeling approach applied to a bandgap voltage reference

著者 (4件)： Airieau S. Hairoud (Univ. Bordeaux Lab. IMS, 351 Cours de la Libe ́ration, 33400 Talence) ,  Dubois T. (Univ. Bordeaux Lab. IMS, 351 Cours de la Libe ́ration, 33400 Talence) ,  Duchamp G. (Univ. Bordeaux Lab. IMS, 351 Cours de la Libe ́ration, 33400 Talence) ,  Durier A. (IRT SAINT EXUPERY, 118 Route de Narbonne, 31432 Toulouse)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EMC Europe  ページ： 526-531  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はミクロパワーバンドギャップ基準の異なるピンを通したRF障害注入の影響を記述するマルチポートICIM CIモデルを構築するためのモデリング手法を提案した。本研究のために選択した成分は,市販の一つである。高精度と低ドリフトを組み合わせた低電源電流と小型パッケージであった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドリフト ,  電流 ,  *モデリング ,  *バンドギャップ ,  *電圧
準シソーラス用語： 高精度 ,  バンドギャップ基準 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (3件)： バンドギャップ ,  CIM ,  モデリング