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J-GLOBAL ID：201602253296617131   整理番号：16A0403365

グラフェン3分岐接合の非線形特性とその制御

Nonlinear voltage transfer characteristics of a graphene three-branch nano-junction device and its control

著者 (5件)： YIN Xiang (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LIU Polin (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TANAKA Hirofumi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MAEMOTO Toshihiko (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 469(ED2015 121-129)  ページ： 27-32  発行年： 2016年02月25日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン3分岐接合デバイス(TBJ)は3つのナノワイヤがT字型に接合した単純な構造をもつ素子で,特異な非線形電圧伝達特性は非線形を示す。ゲートによる伝導型切り替えによって単体でANDおよびORゲートとして動作する。本研究は,信号伝達の高効率化と論理ゲート出力のノイズマージン増大のために,グラフェンにバンドギャップを導入することを検討した。まずバンドギャップ導入したグラフェンTBJの非線形性の理論解析を行い,解析に基づきバンドギャップを導入するための構成と動作条件について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *接合【生殖】 ,  ナノ構造 ,  ナノワイヤ ,  枝分れ ,  *非線形性 ,  バンドギャップ ,  論理回路 ,  論理素子 ,  制御
準シソーラス用語： *ナノ接合 ,  分岐 ,  論理ゲート

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  分岐 ,  非線形特性