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J-GLOBAL ID：201602254161830001   整理番号：16A0651870

インピーダンス分光法のための擬似MOSキャパシタ構造の物理学ベースの等価回路の提案【Powered by NICT】

Proposal of Physics-Based Equivalent Circuit of Pseudo-MOS Capacitor Structure for Impedance Spectroscopy

著者 (3件)： Yarita Isao (Faculty of Engineering Science, Kansai University, Osaka, Japan) ,  Sato Shingo (Faculty of Engineering Science, Kansai University, Osaka, Japan) ,  Omura Yasuhisa (Faculty of Engineering Science, Kansai University, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 4  号： 4  ページ： 169-173  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬-MOSキャパシタ構造の詳細な等価回路を提案し,インピーダンス分光法にを問題にする。,Cole-Coleプロットを用いて,三抵抗成分,接触近傍で形成された界面トラップ,接触抵抗,およびバルクトラップに対応する,絶縁体上シリコンウエハの測定で観察されることを見出した。ここで,提案した詳細等価回路から得られたシミュレーション結果は,調べた広い周波数範囲で測定結果と一致した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  *コンデンサ ,  シミュレーション ,  接触抵抗 ,  周波数 ,  *等価回路 ,  絶縁体
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  界面トラップ ,  *MOSコンデンサ ,  *インピーダンス分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： インピーダンス分光法 ,  擬似 ,  MOSキャパシタ ,  物理学 ,  等価回路 ,  提案