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J-GLOBAL ID:201602254381733805   整理番号:16A0317432

SiC,BeOナノチューブと窒化ホウ素ナノチューブと単分子層の光学的性質に及ぼす電子相関効果【Powered by NICT】

Electronic Correlation Effects on the Optical Properties of SiC, BeO and Boron Nitride Nanotubes and Monolayers
著者 (2件):
資料名:
巻: 64  号:ページ: 583-589  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2568A  ISSN: 0253-6102  CODEN: CTPHDI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,状態密度およびBeO,SiCと窒化ホウ素ナノチューブおよびシートの光学的性質の挙動に及ぼす電子-電子相互作用の影響の数値計算を示した。Hubbardモデルハミルトニアンは,これら化合物の格子構造上の電子の動力学を記述するために適用した。局所電子相互作用の存在下での系の励起スペクトルは,平均場近似法を用いて明らかにした。我々は光学吸収と状態密度におけるバンドギャップ幅は局所Hubbard電子相互作用パラメータを減少させる。吸収スペクトルは,著しいピークが,主に状態と励起子効果の密度の発散挙動により,を示した。また著者らは,BeO,SiCと窒化ほう素ナノチューブの光吸収周波数挙動を比較した。さらに,BeOとSiCシートの光学的性質を調べた。これらの構造の光伝導率の新しい特徴は,電子相互作用による光学スペクトルにおける周波数ギャップの減少である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
分類
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ポーラロン,電子-フォノン相互作用 

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