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J-GLOBAL ID:201602254453882500   整理番号:16A0632196

LTE応用のための2段広帯域完全集積化CMOS線形電力増幅器【Powered by NICT】

A Two-Stage Broadband Fully Integrated CMOS Linear Power Amplifier for LTE Applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 63  号:ページ: 533-537  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0347A  ISSN: 1549-7747  CODEN: ITCSFK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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はロングタームエボリューション(LTE)応用のためのCMOS広帯域線形電力増幅器(PA)の実装と測定結果を報告した。主の源を考慮した段間マッチングと運転者の負荷インピーダンスは,広帯域線形出力電力について解析した。提案したPAは標準0.11-μmRF CMOS技術で作成した。PAは27.9~27.3dBmの線形出力電力と1.8~2.3GHzのキャリア周波数範囲とLTE16-QAM10MHz帯域幅信号の隣接チャネル電力比(ACLR_E UTRA)--30dBcの下で33%~26.1%の電力付加効率を達成した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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信号理論  ,  増幅回路 

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