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J-GLOBAL ID:201602254774787524   整理番号:16A0726586

In_0 8Ga_0 2As/Al_0.5Ga_0 5AlAs_0.56Sb_0 44結合二重量子井戸におけるピコ秒キャリアスピン緩和【Powered by NICT】

Picoseconds carrier spin relaxation in In0.8Ga0.2As/Al0.5Ga0.5As/AlAs0.56Sb0.44 coupled double quantum wells
著者 (6件):
資料名:
巻: 2016  号: CSW  ページ:発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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InGaAs/AlAsSb結合二重量子井戸(CDQW)は1.7eVの大きい伝導帯オフセットのために1.55μm波長での全光スイッチへの利用のために多くの注目を集めている。本研究では,スピン分極の時間発展を観察するために時間分解スピン依存ポンプとプローブ反射率測定を用いたIn_0 8Ga_0 2As/Al_0.5Ga_0 5AlAs_0.56Sb_0 0.44CDQWにおけるスピン緩和を研究した。スピン分極の時間発展の二重指数関数フィッティングにより,室温で4.2psと50.2psのスピン緩和時間を得た。室温で4.2psの観察されたスピン緩和時間は高速光デバイスへの応用のための高い可能性を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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信号理論 
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