硫化法によるAg<sub>2</sub>SnS<sub>3</sub>薄膜の作製

南愛海; 笹川祥平; 江部日南子; 家後和美; 赤木洋二; 山口利幸; 中村重之; 瀬戸悟; 片桐裕則; 荒木秀明

文献

J-GLOBAL ID：201602255029091783 整理番号：16A0930918

硫化法によるAg₂SnS₃薄膜の作製

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巻： 77th ページ： ROMBUNNO.14p-P21-7 発行年： 2016年09月01日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜 , 太陽電池

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硫化法によるAg2SnS3薄膜の作製

硫化法によるAg₂SnS₃薄膜の作製