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J-GLOBAL ID：201602255145924903   整理番号：16A0626974

ZrB₂の1273Kおよび1473Kにおける酸化挙動に及ぼすSiC添加の影響

Effect of SiC Addition on Oxidation Behavior of ZrB2 at 1273 K and 1473 K

著者 (2件)： Zhang Lihua (Center for Advanced Research of Energy Conversion Materials, Hokkaido University, Sapporo, Japan) ,  Kurokawa Kazuya (Tomakomai National College of Technology, Tomakomai, Japan)
資料名： Oxidation of Metals  (Oxidation of Metals)
巻： 85  号： 3-4  ページ： 311-320  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： E0165C  ISSN： 0030-770X  CODEN： OXMEAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC添加量が異なるZrB₂-SiC複合材料の酸化挙動を,空気中,1273Kおよび1473,12hにおいて調べた。SiC添加量の範囲は0~30wt%であった。ZrB₂-SiC複合材料を空気中,1273Kで作歌したとき,連続非晶質層と非酸化SiCを含むZrO₂層の2つの酸化物層構造が生成した。SiC量が5および10wt%のとき,非晶質層は主にB₂O₃から構成されていた。SiCが20および30wt%のとき,最外表面にホウケイ酸塩ガラスが生成し,ZrB₂の耐酸化性が向上した。空気中,1473KでZrB₂-SiC複合材料を酸化したとき,酸化層はZrO₂,SiO₂および未反応SiCから構成されていた。さらに,SiC添加量が10wt%より高いとき,1473Kにおける酸化物層の表面に連続ホウケイ酸塩ガラス層が生成した。ZrB₂中のSiC量が増加すると共に,1273および1473Kにおいて酸化物層厚が低減した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： セラミック ,  複合材料 ,  *ジルコニウム化合物 ,  ホウ化物 ,  炭化ケイ素 ,  高温酸化 ,  *耐食性 ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  酸化膜 ,  非晶質 ,  相組成 ,  ホウケイ酸ガラス ,  層厚 ,  酸化ジルコニウム ,  酸化ケイ素 ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  二ホウ化ジルコニウム ,  組成依存性 ,  走査電子顕微鏡法 ,  CMC ,  腐食 ,  高温腐食 ,  酸化腐食 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： セラミック基複合材料 ,  微細組織 ,  酸化スケール

著者キーワード (4件)： Zirconium diboride ,  Silicon carbide ,  Oxidation ,  High temperature

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸化挙動 ,  SiC