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J-GLOBAL ID：201602255151723416   整理番号：16A0324454

800°Cで注入し中性子照射した3C-SiCの評価【Powered by NICT】

Assessment of neutron-irradiated 3C-SiC implanted at 800°C

著者 (5件)： Engelbrecht J A A (Physics Dep.,Nelson Mandela Metropolitan Univ., South Africa, Port Elizabeth) ,  Deyzel G (High Resolution Electron Microscopy Facility,Nelson Mandela Metropolitan Univ., South Africa, Port Elizabeth) ,  Minnaar E G (High Resolution Electron Microscopy Facility,Nelson Mandela Metropolitan Univ., South Africa, Port Elizabeth) ,  Goosen W E (High Resolution Electron Microscopy Facility,Nelson Mandela Metropolitan Univ., South Africa, Port Elizabeth) ,  Van Rooyen I J (Fuel Performance and Design Dep.,Idaho National Lab., USA, Idaho Falls)
資料名： Yingyong Guangxue  (Yingyong Guangxue)
巻： 36  号： 6  ページ： 937-941  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2741A  ISSN： 1002-2082  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCの好ましい物理的性質は,新世代原子炉における格納層としての使用のための有望材料にする。この素材は,核分裂生成物からの高温度とフルエンスに曝す。中性子照射3C-SiCの特性に及ぼす一定の照射温度(800°C)での中性子フルエンスの増加の影響を調べ,赤外反射分光法と原子間力分光法を用いた。中性子フルエンスと照射3CSiCの表面モルフォロジーの間の関係が見出せた。変化する表面形態も,SiCの誘電パラメータに影響した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  スペクトロスコピー ,  *炭化ケイ素 ,  原子炉 ,  *中性子照射 ,  核分裂生成物 ,  中性子フルエンス
準シソーラス用語： 表面形態 ,  赤外反射 ,  *3C-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子炉のその他への用途・利用  (MD07040K) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  中性子照射 ,  3C-SiC ,  評価