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J-GLOBAL ID：201602255800637044   整理番号：16A0323699

グラフェンベース材料のためのエネルギーバンドの同調技術の進歩【Powered by NICT】

Progress in the Tuning Techniques of Energy Band for Graphene Based Materials

著者 (3件)： Tang Libin (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Ji Rongbin (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Xiang Jinzhong (School of Physical Sci. and Technol., Yunnan Univ., Kunming)
資料名： Hongwai Jishu  (Hongwai Jishu)
巻： 37  号： 11  ページ： 897-905  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2520A  ISSN： 1001-8891  CODEN： HOJIEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 一連の特殊な物理的及び化学的特性のために,グラフェンは,近年注目を集めている。しかし,現在グラフェンは,オプトエレクトロニクス分野でまだ広く使われておらず,これは,主にその半金属特性に起因し,従って,半金属からその特性を変化させる半導体に焦点になっている。グラフェンのエネルギーバンドを調整することを目的として,著者らは,グラフェン系材料とデバイスの調製について体系的に調べた,単分子層と二重層グラフェンのCVD成長技術が開発された,新しいグラフェン酸化物作製法,すなわち”Tang Lau法」を考案した,グラフェン量子ドットのマイクロ波支援水熱法による成長と”ソフトテンプレート法”を開発した,水熱法によるClおよびSドープしたグラフェン量子ドット調製も開発されている。グラフェンベース材料の特性に及ぼす調製パラメータの効果に対して実行された。サイズ,グラフェンベース材料のエネルギー準位に及ぼすドーピング元素の影響を調べた。著者らは,半導性グラフェンベース材料のシリーズを作成し,それらの光電子デバイスの応用性についても研究した。永年の研究を通して,著者らは,グラフェンベース材料を調製するための重要な技術に習熟している,結果として,グラフェンのエネルギーバンドの同調技術を成功裏に見出されている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  半金属 ,  同調 ,  半導体 ,  量子ドット ,  オプトエレクトロニクス ,  塩素 ,  単分子層 ,  半導性 ,  マイクロ波 ,  金属性 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  酸化グラフェン ,  *エネルギー帯 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ベース材料 ,  エネルギーバンド ,  同調