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J-GLOBAL ID：201602256396578358   整理番号：16A0726473

垂直AlGaN高出力FETのための自発的に形成されたナノサイズバイアホールを用いたSi基板上への導電性AlNエピタキシャル層の実現【Powered by NICT】

Realization of conductive AlN epitaxial layer on Si substrate using spontaneously formed nano-size via-holes for vertical AlGaN high power FET

著者 (6件)： Kurose Noriko (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan) ,  Ozeki Kota (Faculty of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan) ,  Araki Tsutomu (Faculty of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan) ,  Iwata Naotaka (Faculty of Engineering, Toyota Technological Institute, Japan) ,  Kamiya Itaru (Faculty of Engineering, Toyota Technological Institute, Japan) ,  Aoyagi Yoshinobu (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上の垂直AlGaN FETが実現されれば,高出力,SiCを超える高電圧FETとGaN FETは高いバンドギャップと高い絶縁破壊電圧のために得られた。Si基板上の垂直AlGaN FETを実現するために,Si基板上の導電性AlNバッファ層が不可欠である,AlNバッファ層は成長中にGa源によるSi基板の大型メルトバックを避けるためにSi基板上に成長したAlGaNに必要であるからである。しかし,AlNは高度に絶縁材料であることが知られており,導電性AlNの作製は挑戦されていない。ナノサイズ自然バイアホールを形成することにより導電性AlNバッファ層を実現することに成功した。AlNを通した垂直伝導率はバイアホール内の導電性n-AlGaNを充填して約1000倍に増強される。導電性バイアホールを用いて,Si基板上に193nmで応答性150mA/Wの垂直LED emmitting350nmと垂直UVセンサを作製することに成功した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイアホール ,  炭化ケイ素 ,  バッファ層 ,  *導電性 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  応答特性 ,  バンドギャップ ,  絶縁材料 ,  絶縁体
準シソーラス用語： メルトバック ,  絶縁破壊電圧 ,  *エピタキシャル層 ,  *シリコンウエハ ,  *高出力 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  AlGaN ,  高出力 ,  FET ,  Si基板 ,  導電性 ,  AlN ,  エピタキシャル層