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J-GLOBAL ID:201602256975106350   整理番号:16A0950219

。二重格子対称非晶質シリコン薄膜太陽電池の吸収を増強する【JST・京大機械翻訳】

Symmetric Substructure Dual Gratings for Enhancement of Light Absorption in Amorphous Silicon Film Solar Cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 0325001-1-0325001-7  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2088A  ISSN: 0253-2239  CODEN: GUXUDC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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非晶質シリコン薄膜太陽電池の吸収層の上下表面において採用した。格子対称によって電池の薄膜の吸収率を高めると提案した。更に,厳密な結合波分析法研究を用いて,400 NMの厚さの非晶質シリコン薄膜に対して,600~750NMの波長範囲内において,新しいこの種の格子上の表面反射の入射光から透過下表面からの漏れ光を効果的に減少でき,そして,吸収層の吸収率を増強することが判明した。単に上表面において。対称格子を用い,最適化した後の吸収率は71%増強できる;わずか下で表面格子を用いて,吸収率は24%増加した;上下の表面に同時に格子を採用し,太陽電池の吸収率は81%増強できる。本研究は設計製作の持つ高吸収率の薄膜太陽電池を容易にするために新しい構想を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
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