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J-GLOBAL ID：201602258149976311   整理番号：16A0977989

高性能300mm Si基板上に作製したIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As FinFET【Powered by NICT】

High performance In_0.53Ga_0.47As FinFETs fabricated on 300 mm Si substrate

著者 (22件)： Huang M. L. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chang S. W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen M. K. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Oniki Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen H. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin C. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lee W. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin C. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Khaderbad M. A. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lee K. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen Z. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Tsai P. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin L. T. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Tsai M. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Hung C. L. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Huang T. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin Y. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Yeo Y.-C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Jang S. M. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Hwang H. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wang Howard C.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan) ,  Diaz Carlos H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_0In0.53Ga_0Ga0.47As FinFETは300mm Si基板上に作製した。ウエハにわたる良好な均一性を持つ高い素子性能を実証した(SS=78mV/dec,I_on/I_off 10 5,DIBL(ドレイン誘起障壁低下)=48mV/V,g_m=1510μS/μm,I_on=301μA/μm L_g=120nmのV_ds=0.5Vデバイスにおいて)であった。EOT約0.9nmの1731cm~2/Vの外因性電界効果移動度から,スプリットCVにより抽出した。格子整合したInP基板上に作製したデバイスでベンチマーク300mm Si上に作製した素子は,SSとI_onに関して類似した性能を示した。さらに,フィンあたり44.1μAのI_onは70nmのフィン-高および25nmのフィン幅,著者らの知る限りIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As FinFETのための報告された最高の値の間に観察された。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ベンチマーク ,  フィン ,  格子整合 ,  *ケイ素 ,  リン化インジウム
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 信号理論  (ND02020G) ,  通信方式一般  (ND07010E) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  Si基板 ,  作製 ,  FinFET