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J-GLOBAL ID：201602260477932734   整理番号：16A1340889

単結晶ダイヤモンド表面の集束イオンビーム誘発損傷層の除去と特性解析及び多種多様な深さパターン形成への応用

Removal and characterization of focused-ion-beam-induced damaged layer on single crystal diamond surface and application to multiple depth patterning

著者 (6件)： Kawasegi Noritaka (Central Research Institute, Toyama Industrial Technology Center, 150 Futagami-machi, Takaoka-shi, Toyama 933-0981, Japan) ,  Kuroda Seiya (Faculty of Engineering, University of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, Japan) ,  Morita Noboru (Graduate School of Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba 263-8522, Japan) ,  Nishimura Kazuhito (Faculty of Engineering, Kogakuin University, 2665-1 Nakano-machi, Hachioji-shi, Tokyo 192-0015, Japan) ,  Yamaguchi Makoto (Graduate School of Engineering Science, Akita University, 1-1 Tegatagakuen-machi, Akita-shi, Akita 010-8502, Japan) ,  Takano Noboru (Graduate School of Science and Engineering for Research, University of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 70  ページ： 159-166  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,集束イオンビーム(FIB)照射で誘発された非ダイヤモンド相のエッチング特性と浅い多重深度構造のパターン形成法の両者について組織的に研究した。ダイヤモンド表面のFIB照射は非ダイヤモンド相を誘発して,その結果この領域は空気加熱によって選択的に食刻できる。形状のFIB及び加熱条件への依存性を詳細に調べた。構造の微細形状の点からみれば600°C又はそれ以下の加工温度は構造製作に効果的であった。除去深さはイオンフルエンスとイオンエネルギーによって制御できる。加工温度と加熱時間は深さ範囲とエッチ速度を決める重要因子であった。構造の形状はFIB誘発非ダイヤモンド相の微細形態の影響を受け,また最高エッチング深さはFIB照射に誘発された欠陥密度に左右された。数10ナノメートルの深さをもつ凹型多重深さ構造をこれら結果を基に作製し,ダイヤモンド表面の浅い多重深さパターン形成へのこの方法の使用の可能性を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  *集束イオンビーム ,  ガリウム ,  イオンビーム加工 ,  ナノメータ加工 ,  エッチング ,  加熱 ,  温度依存性 ,  パターン形成 ,  深さ ,  検出器 ,  損傷 ,  除去 ,  X線回折分析 ,  Raman分光法 ,  走査光学顕微鏡 ,  トポグラフィー【形態】 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *深さパターン形成 ,  *損傷層除去 ,  表面トポグラフィー

著者キーワード (6件)： Single crystal diamond ,  Multiple depth patterning ,  Focused ion beam ,  Heat treatment ,  Gallium ion ,  Defect

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  特殊加工  (QC04000Y) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単結晶ダイヤモンド ,  集束イオンビーム ,  誘発 ,  損傷 ,  特性解析 ,  多種 ,  パターン形成 ,  応用