文献

J-GLOBAL ID：201602261143410018   整理番号：16A0330042

SnSeの金属接触の電子特性:第一原理研究【Powered by NICT】

Electronic properties of the SnSe-metal contacts: First-principles study

著者 (4件)： Dai Xianqi (Coll. of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal Univ., Xinxiang) ,  Wang Xiaolong (Coll. of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal Univ., Xinxiang) ,  Li Wei (Coll. of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal Univ., Xinxiang) ,  Wang Tianxing (Coll. of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal Univ., Xinxiang)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 24  号： 11  ページ： 117308-1-117308-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSe/金属接触の幾何構造と電子特性は一原理密度汎関数理論全計算を用いて調べた。SnSeはM(M=Ag,Au,Ta)基板上に吸着したときの単層SnSeの構造はわずかに影響を受けたことが分かった。対応する自立単層SnSeと比較して,吸着したSnSeはsemiconductorto金属転移を起こす。ポテンシャル差DVはSnSe/Ta接触は3SnSe/M接触のSchottky接触のための最良の候補であることを示した。2面内電流(CIP)構造のタイプの自立単分子層SnSeはSnSe/Mに接続される場合は,SnSe/AuとSnSe/Ta接触SnSe/Agコンタクト及びp型CIP構造におけるn型CIP構造として同定した。結果は多機能SnSe/金属接触のためのさらなる研究を促進することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： タンタル ,  *金 ,  密度汎関数法 ,  単一層 ,  電流 ,  *第一原理 ,  ポテンシャル ,  単分子層
準シソーラス用語： 幾何構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子 ,  第一原理 ,  研究