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J-GLOBAL ID：201602261386922381   整理番号：16A1223430

Si(111)1x1:H表面からの水素の脱着活性化エネルギー:SFG・SHG分光による検討

Desorption activation energy of hydrogen from the Si (111)1x1: H surfaces studied by SFG and SHG spectroscopy

著者 (6件)： SATTAR Md. Abdus (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol.) ,  YAMABE Kengo (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol.) ,  HIEN Khuat Thi Thu (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol.) ,  MIYAUCHI Yoshihiro (National Defense Acad. of Japan) ,  MIZUTANI Goro (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol.) ,  RUTT Harvey N. (Univ. Southampton)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 71  号： 2  ページ： ROMBUNNO.13pPSB-61  発行年： 2016年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *脱着 ,  ウエハ【IC】 ,  エネルギー ,  スペクトロスコピー ,  *第二高調波発生
準シソーラス用語： *水素脱着 ,  *シリコン基板 ,  *脱着エネルギー ,  *和周波発生分光法

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  水素 ,  脱着 ,  活性化エネルギー ,  SHG ,  分光