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J-GLOBAL ID：201602264137266602   整理番号：16A0930935

電気化学堆積法によるCu₂O/InP多孔質構造ヘテロ界面の形成

著者 (3件)： 近江沙也夏 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-P21-24  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光電素子 ,  *薄膜成長 ,  電着 ,  液相成長 ,  多孔質体 ,  ヘテロ接合 ,  光吸収 ,  酸化銅 ,  リン化インジウム ,  PN接合
準シソーラス用語： *電気化学堆積

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学堆積 ,  Cu2O ,  InP ,  多孔質構造 ,  ヘテロ界面