抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シリコンチップを薄くして三次元積層(3DI)すれば,回路線幅の微細化に頼らず,メモリー大容量化,小型化,省電力化および低コスト化が実現できることから,大手LSIメーカおよび装置メーカは競って開発を急いでいる。最近のWOWと呼ばれるウエハレベルの3DIプロセスでは,TTV(totalthickness variation)を0.5μm以下に維持して,効率よくウエハ全体を厚さ50μ以下に薄片化している。ウエハの薄片化はロータリ型平面研削盤を用いてチップ裏面を除去して実現している。しかし,加工変質層には一般に圧縮応力が残留するので開放時,大きな反りが発生し,50μm以下の薄片化では,ストレスフリーと呼ばれる工程が必須である。著者は研削工程に化学反応を取り込みシリコンと反応性ある砥粒からなるCMG(Chemo-mechanical grinding)砥石を開発した。この砥石をダイヤモンド砥石に代えて研削盤に装着すればウエハを研削盤から取り外すことなく薄片化とストレスリリーフを実現できる。本稿では,著者が開発した,シリコン単結晶と固相反応してアモルファスを生成する,軟質のセリア(CeO
2,硬度5~7)を主成分とするCMG砥石を説明し,ウエハ断面の,CMG研削,ダイヤモンド研削,および,CMP研削結果を比較観察した。結果的に,CMG加工技術は形状精度が優れた運動転写型の研削加工であるにもかかわらず,原子配列をみだすことなく,完全な表面創成が可能であることを説明した。
