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J-GLOBAL ID：201602264629432410   整理番号：16A1059966

ナノスケールでの光学的に制御された磁場エッチング【Powered by NICT】

Optically controlled magnetic-field etching on the nano-scale

著者 (8件)： Takashi Yatsui (School of Engineering, University of Tokyo) ,  Toshiki Tsuboi (School of Engineering, University of Tokyo) ,  Maiku Yamaguchi (School of Engineering, University of Tokyo) ,  Katsuyuki Nobusada (Department of Theoretical and Computational Molecular Science, Institute for Molecular Science) ,  Satoshi Tojo (Faculty of Science and Engineering, Chuo University) ,  Fabrice Stehlin (Institut de Sciences des Materiaux de Mulhouse (IS2M),CNRSUMR7361, Universitede Haute-Alsace) ,  Olivier Soppera (Institut de Sciences des Materiaux de Mulhouse (IS2M),CNRSUMR7361, Universitede Haute-Alsace) ,  Daniel Bloch (Laboratoire de Physique des Lasers,UMR 7538 du CNRS, UniversiteParis13-Sorbonne-Paris-CiteF-93430 Villetaneuse)
資料名： Guang: Kexue Yu Yingyong  (Guang: Kexue Yu Yingyong)
巻： 5  号： 2  ページ： lsa201654-001-lsa201654-007  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2855A  ISSN： 2095-5545  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場と磁場は,化学的及び物理的両反応において重要な役割を果たす。しかし,磁場と電子の間の結合効率は電場と可視波長領域における電子と比較して低いため,磁場は光誘起反応では無視できた。ZrO_2ナノストライプ構造のフォトエッチングを行い,エッチング特性偏光依存性を同定した。特に,エッチング速度とエッチングプロファイルは構造幅に依存する。この偏光依存エッチングを評価するために,有限差分時間領域法を用いた数値計算を行った。注目すべきことに,数値結果は,偏光依存エッチング特性は,磁場分布,電場分布よりもむしろにより決定したことを明らかにした。ナノスケール構造は局所磁場を誘導するので,磁場に対するこのエッチング依存性の発見は,先進ナノスケール構造製造に新たな展望を導入するために期待されている。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁場 ,  有限差分時間領域法 ,  近接場 ,  *エッチング ,  数値計算 ,  電場 ,  偏光 ,  電界分布 ,  磁場分布 ,  偏光依存性 ,  エッチング特性 ,  *ナノスケール
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  ストライプ構造 ,  結合効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ナノスケール ,  近接場エッチング ,  光学的に制御された磁場相互作用

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノスケール ,  光学 ,  磁場 ,  エッチング