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J-GLOBAL ID:201602265014171123   整理番号:16A0913180

CMOSテラヘルツイメージング回路の設計と評価

Design and fabrication of a terahertz imaging circuit in CMOS process technology
著者 (7件):
資料名:
巻: 116  号: 172(SDM2016 48-68)  ページ: 19-24  発行年: 2016年07月25日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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近年,テラヘルツ波を用いたイメージングが注目を集めている。本研究では,MOSFETの非線形性を用いたテラヘルツ波の直接検波回路を提案する。テラヘルツイメージング回路は低コストである180nm Si CMOSプロセスを用いて設計及び試作した。イメージング回路はマイクロストリップパッチアンテナ,インピーダンス整合回路そして直接検波回路により構成される。イメージング回路はキャリア周波数0.915THzにおいて51.9kV/WのResponsivity,変調周波数31Hzにおいて358pW/Hz1/2のNEP(Noise Equivalent Power)を示した。NEPは10kHzで変調することで33.5pW/Hz1/2が期待される。イメージング回路のサイズは250x180μmである。これらの成果は低価格テラヘルツイメージングの実現を示唆している。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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撮像・録画装置  ,  半導体集積回路 
引用文献 (16件):
  • [1] K. Kawase et al., “Non-destructive terahertz imaging of illicit drugs using spectral fingerprints,” Opt. Express, vol. 11, pp. 2549-2554, 2003. \n
  • [2] M. C. Kemp et al., “Security applications of terahertz technology,” Proc. SPIE, vol. 5070, pp. 44-52, 2003. \n
  • [3] B. Zhu et al., “Terahertz science and technology and applications,” PIERS Proc., Beijin, China, March 2009, pp. 1166-1170. \n
  • [4] A. Hellicar et al., “Development of a terahertz imaging system,” IEEE AP-S Internatinal Symposium, 2007, pp. 5535-5538. \n
  • [5] J. L. Hesler and T. W. Crowe, “Responsivity and noise measurements of zero-bias Schottky diode detectors,” Proc. 18th Internatinal Symposium on Space Terahertz Technology, 2007, pp. 89-92. \n
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