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J-GLOBAL ID：201602265328093598   整理番号：16A0653080

SiCパワーモジュールのための高温過渡熱分析法による熱抵抗評価【Powered by NICT】

Thermal resistance evaluation by high-temperature transient thermal analysis method for SiC power modules

著者 (4件)： Kato Fumiki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8668, Japan) ,  Nakagawa Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8668, Japan) ,  Yamaguchi Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8668, Japan) ,  Sato Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8668, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICEP  ページ： 214-217  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温動作のための炭化けい素(SiC)パワーモジュールの熱抵抗評価は,実際のパッケージ構造における正確な熱抵抗を明らかにするために行った。SiC Schottky障壁ダイオード(SBD)を用いた過渡熱分析法は50°Cから250°Cまでの広い温度範囲における熱構造関数を測定するために適用した。モジュール構造は金ゲルマニウム(AuGe)はんだにより互いに結合したSBD,窒化けい素活性金属ろう付け銅(SiN-AMC)とCuベースプレートから構成されている。熱構造関数におけるSiN AMCとベースプレートの熱抵抗成分を定義することは困難であることを見出した。SiN AMCを含まない参照モジュール構造は熱抵抗の単離のための調製した。SiN AMCの熱抵抗はSiN AMC構造関数を比較することによって定義することに成功した。この現象は本実験に基づいて高熱伝導率材料(Cuベースプレート)における熱拡散効果に起因する。モジュール構造の熱抵抗は四つの成分に定義することに成功した。さらに,熱抵抗の温度依存性も50°Cから250°Cまでの広い温度範囲におけるパッケージ構造の中でも測定した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱抵抗 ,  構造関数 ,  温度依存性 ,  モジュール構造 ,  *高温 ,  熱伝導率 ,  はんだ ,  *熱分析 ,  銅 ,  *炭化ケイ素 ,  熱拡散 ,  窒化ケイ素
準シソーラス用語： ベースプレート ,  温度範囲 ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  音響信号処理  (BB03050C) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  パワーモジュール ,  分析法 ,  熱抵抗 ,  評価