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J-GLOBAL ID：201602265713170828   整理番号：16A0977091

TLP法による有機薄膜トランジスタに及ぼすESD効果の解析【Powered by NICT】

Analysis of ESD effects on organic thin-film-transistors by means of TLP technique

著者 (9件)： Wrachien N. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Barbato M. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Cester A. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Rizzo A. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Meneghesso G. (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  D’Alpaos R. (E.T.C. srl, Bologna, Italy) ,  Turatti G. (E.T.C. srl, Bologna, Italy) ,  Generali G. (E.T.C. srl, Bologna, Italy) ,  Muccini M. (CNR - ISMN, Bologna, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IRPS  ページ： EL-6-1-EL-6-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積高電圧有機薄膜トランジスタへの静電放電事象の影響を解析し,伝送線路パルス技法を用いた。これらのトランジスタは,500Vを超えるESD事象を生存した。部分絶縁破壊電圧より高いtan600Vで生じた。観察され,破壊前には小さな移動度としきい値電圧変動。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  伝送線路 ,  移動度 ,  パルス
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  静電気放電 ,  大面積 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： TLP ,  有機薄膜トランジスタ ,  ESD ,  解析