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J-GLOBAL ID：201602266152028977   整理番号：16A0325492

SiCに基づく高温および高g MEMS加速度計のシミュレーションと解析【Powered by NICT】

Simulation and Analysis of High-Temperature and High-g MEMS Accelerometer Based on SiC

著者 (5件)： Chen Yanxiang (National Key Lab. for Electronic Measurement Technol., Key Lab. of Instrumentation Sci. & Dynamic Measurement of ...) ,  Shi Yunbo (National Key Lab. for Electronic Measurement Technol., Key Lab. of Instrumentation Sci. & Dynamic Measurement of ...) ,  Zhi Dan (National Key Lab. for Electronic Measurement Technol., Key Lab. of Instrumentation Sci. & Dynamic Measurement of ...) ,  Yang Zhicai (National Key Lab. for Electronic Measurement Technol., Key Lab. of Instrumentation Sci. & Dynamic Measurement of ...) ,  Feng Hengzhen (National Key Lab. for Electronic Measurement Technol., Key Lab. of Instrumentation Sci. & Dynamic Measurement of ...)
資料名： Chuangan Jishu Xuebao  (Chuangan Jishu Xuebao)
巻： 28  号： 10  ページ： 1471-1475  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2450A  ISSN： 1004-1699  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 材料の性質は,加速器の性能パラメータに大きく影響する。新しい型の半導体材料として,SiCは優れた機械的性質と温度特性,高温と高g加速器に適用可能である。本論文では,SiCに基づく高温および高g加速器の設計スキームを提案した。加速器の構造とサイズは,片持梁の力学理論知識を参照することにより設計し,ANSYSにモード解析,静力学解析および熱分析により解析した高感度構造の特性。シミュレーションの結果は,SiCは高温度および高過負荷条件,高温と高g加速度計の研究のための信頼性のある理論的基礎を提供するSiよりも優れていることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱分析 ,  半導体材料 ,  *ケイ素 ,  *MEMS ,  高感度 ,  モード解析 ,  *加速度計 ,  過負荷 ,  *炭化ケイ素 ,  静力学 ,  加速器 ,  片持梁 ,  *高温
準シソーラス用語： ANSYS ,  温度特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  フィルタ一般  (NC04021I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MEMS ,  加速度計 ,  シミュレーション ,  解析