文献

J-GLOBAL ID：201602266327141965   整理番号：16A0977859

超低電圧応用のための28nm FDSOI技術サブ6V SRAM Vmin評価【Powered by NICT】

28nm FDSOI technology sub-0.6V SRAM Vmin assessment for ultra low voltage applications

著者 (21件)： Ranica R. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Planes N. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Huard V. (CEA-LETI, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France) ,  Weber O. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Noblet D. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Croain D. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Giner F. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Naudet S. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Mergault P. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Ibars S. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Villaret A. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Parra M. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Haendler S. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Quoirin M. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Cacho F. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Julien C. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Terrier F. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Ciampolini L. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Turgis D. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Lecocq C. (STMicroelectronics, Switzerland) ,  Arnaud F. (STMicroelectronics, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Circuits  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： -40°Cから125°Cに128Mb SRAMビットセルに28nm FDSOI技術におけるVmin測定を報告した。シリコン時効挙動とプロセス変動を添加すると,完全なモデルを開発し,0.120μmの約2と0.152μm 2ビットセル20mb0.6Vおよび0.5Vの耐用年数を経たSRAM Vminをそれぞれ示した。は,28nmノードでのそのような広範なSRAM Vmin評価の最初の報告である。書込み補助設計手法と結合した書込み制限ビットセルの構築は28nm FDSOI技術における超低Vminを達成するための最も効率的な方法であることが分かった。添加では,0.4V以下のVmin保持率は0.120μm 2ビットセルにおいて示し,保持モードで2pA/cellを用いた超低漏れビットセルの可能性をもたらした。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐用年数 ,  ケイ素 ,  時効 ,  *SRAM
準シソーラス用語： 設計手法 ,  プロセス変動 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (6件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  集積回路一般  (NC03161C) ,  記憶方式  (JC02040V) ,  符号理論  (ND02030R) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電圧 ,  応用 ,  FDSOI ,  サブ ,  SRAM ,  評価