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J-GLOBAL ID:201602266433711193   整理番号:16A1273515

ナノスケールにおける欠陥耐性の利用 メソ多孔性シリカマトリックス中の高発光性ハライドペロブスカイト鉛ナノ結晶

Harnessing Defect-Tolerance at the Nanoscale: Highly Luminescent Lead Halide Perovskite Nanocrystals in Mesoporous Silica Matrixes
著者 (13件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 5866-5874  発行年: 2016年09月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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コロイドハライドペロブスカイト鉛(APbX3;A=Cs,メチルアンモニウム(MA),及びホルムアミジン(FA);X=Cl,Br,I,及びこれらの混合)のナノ結晶(NC)を,前駆体溶液をメソ多孔性シリカに浸透し,乾燥・鋳型補助形成により成功裏に作製し,純色の高い量子効率のホトルミネセンス(PL)を示すAPbX3 NC複合体を全可視光域に渡り得た。これらの化合物に本来備わっている欠陥に対する電子構造の耐性,即ち表面ダングリングボンドや空孔のような固有の点欠陥がPLを消光するミッドギャップ状態を形成しない性質は,得られた鋳型補助形成NCの嘗てない高品質のPLを齎した。これらの結果はCdSeやInPのような半導体とは極めて対照的である,と言うのはこれらの半導体ナノ結晶のPLは多孔性マトリックスに取り込まれると表面欠陥により,それらが完全に表面パッシベーションされていない限り劣化するからである。APbX3 NC複合体のPL特性はNCの量子サイズ効果と組成の両方により調節可能であり,複合体中の光散乱のために固有のヘイズを示す。これらの複合体は液晶表示技術と関連する素子において通常の蛍光体を置き換える可能性がある。
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 

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