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J-GLOBAL ID：201602267223605258   整理番号：16A1201306

低いリーク電流及び高いON/OFF比を有する縦型有機トランジスタを実現するための無溶剤リフトオフ法

A solvent-free lift-off method for realizing vertical organic transistors with low leakage current and high ON/OFF ratio

著者 (8件)： Fang Xiang (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Lin Chia-Ho (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Sun Yung-Tai (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Chin Huei-Tzu (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Zan Hsiao-Wen (Department of Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Meng Hsin-Fei (Institute of Physics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Horng Sheng-Fu (Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Wang Lon A. (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 31  ページ： 227-233  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無溶剤のリフトオフ法を導入して縦型有機トランジスタ用のベース電極として80nm以下までの直径を有するアルミニウムナノホール配列を作製した。この刷り込まれた縦型有機トランジスタは,5×10^-5mA/cm²にまで低いベース漏れ電流と10⁵と高いオン/オフ電流比を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *微細加工 ,  パターン形成 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ナノ構造 ,  *細孔 ,  比率 ,  スイッチング ,  ポリヘキシルチオフェン ,  *リソグラフィー
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *ナノホール ,  *リフトオフ法 ,  *有機トランジスタ

著者キーワード (5件)： Nanoimprint lithography ,  Vertical ,  Organic transistor ,  P3HT ,  Lift-off

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： リーク電流 ,  縦型 ,  有機トランジスタ ,  溶剤 ,  リフトオフ法