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J-GLOBAL ID：201602268069334262   整理番号：16A1359614

走査トンネル顕微鏡と電気抵抗測定で探る量子ホール効果

著者 (2件)： 枡富龍一 (東大) ,  岡本徹 (東大)
資料名： 東京大学低温センター年報  (東京大学低温センター年次報告)
号： 7  ページ： 6-12  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： F1229A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InAsやInSbの半導体劈開面に金属などを吸着させると表面に2次元電子系が誘起される。この系は吸着原子の自由度に加えて,まさに“むき出し”の電子系であり多彩な測定手法の適応が可能である。本稿ではこの吸着原子によって誘起された表面2次元電子系を用いた量子ホール効果の研究を紹介する。微視的な走査トンネル分光顕微鏡による観測と巨視的な電気抵抗測定の両面から量子ホール効果を探る。(著者抄録)

シソーラス用語： *量子Hall効果 ,  電子系 ,  低次元系 ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化インジウム ,  結晶面 ,  原子 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  計測 ,  *電気抵抗 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 二次元電子系 ,  劈開面 ,  吸着原子 ,  電気抵抗計測

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 走査トンネル顕微鏡 ,  電気抵抗測定 ,  量子ホール効果