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J-GLOBAL ID：201602268664248309   整理番号：16A0771815

電流再利用トポロジーを用いたQバンドInAlGaN/GaN低雑音増幅器(LNA)【Powered by NICT】

Q-Band InAlGaN/GaN LNA using current reuse topology

著者 (8件)： Sato M. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Niida Y. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Kamada Y. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Ozaki S. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Ohki T. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Makiyama K. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Okamoto N. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197) ,  Joshin K. (Fujitsu Laboratories, Atsugi, Japan 243-0197)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMS  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.12μm InAlGaN/GaN HEMTを用いた3dB雑音指数(NF)33 41GHz低雑音増幅器(LNA)を開発した。低消費電力と高利得を得るためにLNAは電流再利用トポロジーを有する二段階共通ゲート増幅器から構成されている。開発したLNAは15dB利得と-10dB以下の入力リターンロスを達成した。測定したNFは3dBであり,電力消費は280mWであった。測定OIP3とOP1dBは20Vの電源電圧のもとで38GHzで-24dBmと-13dBmであった。LNAのチップサイズは1×0.7mm2である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  *増幅器 ,  雑音指数 ,  利得 ,  *低雑音増幅器 ,  *位相幾何学 ,  電力消費
準シソーラス用語： チップサイズ ,  電源電圧 ,  反射減衰量 ,  高利得 ,  低電力化 ,  *Qバンド ,  *電流再利用 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電流再利用 ,  トポロジー ,  Qバンド ,  GaN ,  低雑音増幅器 ,  LNA