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J-GLOBAL ID：201602268960753612   整理番号：16A1196907

走査型プローブ顕微鏡によるサファイア基板上窒化ガリウム層の表面形状及び表面電位観測

著者 (3件)： 潤間威史 (千葉工業大学工学研究科) ,  佐藤宣夫 (千葉工業大学工学研究科) ,  石川博康 (芝浦工業大学)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 136  号： 4  ページ： 96-101(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： サファイア基板上の窒化ガリウム膜の最表面原子が,Ga原子およびN原子と,自発分極の向きが異なる試料を成膜,当該試料の表面形状および電気特性評価を目的とした。具体的には走査型プローブ顕微鏡によるナノスケール観測を行った。その際に,高性能な探針-試料間制御を実現する周波数シフト検出器を備えた周波数変調型原子間力顕微鏡(FM-AFM),さらに表面電位測定のためのケルビンプローブ力顕微鏡(KFM)を複合化したFM-AFM/KFMを構築し,表面形状および表面電位の同時・同一箇所観測を行ったその結果,表面形状像からN面においては直径約30nmの欠陥が7.4×10⁹cm^-2程度,Ga面においては同様な欠陥が約0.16×10⁹cm^-2生じていることが確認された。

シソーラス用語： *顕微鏡観察 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  *基板 ,  窒化ガリウム ,  形状測定 ,  表面電位 ,  電気測定 ,  電位 ,  力顕微鏡 ,  *サファイア基板 ,  表面計測
準シソーラス用語： 表面形状測定

著者キーワード (8件)： 走査型プローブ顕微鏡 ,  周波数変調検出方式 ,  ケルビンプローブ力顕微鏡 ,  窒化ガリウム ,  scanning probe microscopy ,  frequency modulation detection ,  Kelvin probe force microscopy ,  Gallium nitride

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (27件)：

• (1) 播磨 弘:「ワイドギャップ半導体エレクトロニクス」,応用物理,Vol. 79, p. 712 (2010)
• (2) 葛原正明:「GaN系高効率電子デバイスの開発動向」,応用物理,Vol. 81, p. 464 (2012)
• (3) 天野 浩:「窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望-バルクG aN 単結晶成長技術開発の観点から」,応用物理,Vol. 81, p. 455 (2012)
• (4) S. Barbet, R. Aubry, M.-A. di Forte-Poisson, J.-C. Jacquet, D. Deresmes, T. Melin, and D. Theron: “Surface potential of n-and p-type GaN measured by Kelvin force microscopy”, Appl. Phys. Lett., Vol. 93, p. 212107 (2008)
• (5) 角谷正友・福家俊郎:「MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造」,応用物理,Vol. 70, p. 178 (2001)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型プローブ顕微鏡 ,  サファイア基板 ,  窒化ガリウム ,  表面形状 ,  表面電位 ,  観測