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J-GLOBAL ID：201602269929776352   整理番号：16A0663605

非アームチェア型単層カーボンナノチューブの電子物性への一軸性歪の効果 第一原理研究

Uniaxial Strain Effects on Electronic Properties of Non-Armchair Single-Walled Carbon Nanotubes: First Principles Study

著者 (5件)： SALMAN Saed A. (King Faisal Univ., Al-Ahsa, SAU) ,  TALLA Jamal A. (King Faisal Univ., Al-Ahsa, SAU) ,  TALLA Jamal A. (Al al-Bayt Univ., Al-Mafraq, JOR) ,  ABUZIR Alaaedeen (King Faisal Univ., Al-Ahsa, SAU) ,  YASIN Esam (King Faisal Univ., Al-Ahsa, SAU)
資料名： Journal of Computational and Theoretical Nanoscience  (Journal of Computational and Theoretical Nanoscience)
巻： 12  号： 12  ページ： 5265-5272  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W2377A  ISSN： 1546-1955  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では密度汎関数法を用い非アームチェア型単層カーボンナノチューブのバンドギャップとFermiエネルギーへの一軸性歪の効果を調べた。ジグザグ型(n,0)と半金属カイラル型(n,n/2)ナノチューブのいずれもが印加歪とナノチューブ半径に関してバンドギャップはほとんど独立に変化することを示した。その一方で半金属カイラル型(n,n/2)ナノチューブにおいてはバンドギャップ変化を認めた。またジグザグ型とアームチェア型の両方のナノチューブがFermi準位の印加歪への応答において線形と非線形項混合の低下を見せた。バンドギャップはカイラル角のみならずnが3の整数倍かどうか,つまりアームチェア型かどうかにも著しく依存していた。このような非線形のFermi準位の挙動は調べたところ電子バンドの歪誘起非対称変化に関連付けられた。ここから導かれる実用上の指針の一つは,圧電素子用には半導体型ジグザグナノチューブが最適であるということであった。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  物理的性質 ,  *歪 ,  第一原理 ,  *密度汎関数法 ,  *バンドギャップ ,  *Fermi準位 ,  非対称性 ,  圧電素子
準シソーラス用語： Fermiエネルギー ,  *一軸歪 ,  電子物性

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層カーボンナノチューブ ,  電子物性 ,  一軸性 ,  歪 ,  第一原理 ,  研究