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J-GLOBAL ID:201602270031862756   整理番号:16A0327560

半導体レーザの高速温度制御システムの設計【Powered by NICT】

Design of semiconductor laser quick temperature control system
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1991-1995  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2521A  ISSN: 1007-2276  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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温度が半導体レーザの特性に影響を及ぼすパラメータの1つであった。温度制御を実現する迅速かつ安定にするために,ハードウェアとアルゴリズムを制御温度を研究した。システムはマイクロ制御ユニット(MCU)MSP430に基づいた。駆動回路を用いた,調整回路電圧はパルス幅変調の出力式と組み合わせた適応的に行う。自己調整温度アルゴリズムはまた,高-低温度試験箱における機械的温度バランスと実験のモデルによって設計した。実験結果によれば,温度-40-°C設定温度23°Cの安定時間はそれぞれ2分30秒と1分30秒であった。制御精度は0.2°Cであった。電力安定性実験結果の解析により,レーザパワー安定性は,温度制御後の温度制御前の5%から1%以下にした。レーザパワー安定性密度である眼安全である。システムの概略設計は小さな電力及び高速安定性レーザシステムのための意義を持つ。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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半導体レーザ  ,  図形・画像処理一般  ,  レーザ一般 
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