抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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近年,シリコン半導体デバイスの他,パワーデバイス用にSiCウェーハ,GaNウェーハ,SAWデバイス用としては,LiTaO
3およびLiNbO
3のウェーハ,LED基材としてサファイアウェーハ等,多数材料を利用するようになってきた。これら材料は共通的に高脆性,低化学反応の難削材料である。Siデバイスについてはウェーハの平坦度の要求も厳しくなっている。本稿では,これらのウェーハの高平坦,高生産性を実現するため,開発した,(株)岡本工作機械工作所(岡本工作機械)開発による,300mmウェーハ用全自動ファイナル研磨装置(PNX332B),小径ウェーハ(4/6inch)用全自動バッチ式研磨装置(SPP800AT),および,450mmウェーハ用全自動研磨装置(PNX1200)を紹介し,各々の特徴を説明した。これらの研磨装置はウェーハ製造メーカ向けに設計されており,ユーザの要求と岡本工作機械の技術の融合により実現したファイナル研磨装置である。