文献

J-GLOBAL ID：201602271864185431   整理番号：16A0842754

イットリウムをドーピングしたBaTiO₃の電気特性に及ぼすドーピングサイトの影響

Effects of doping sites on electrical properties of yttrium doped BaTiO₃

著者 (7件)： Ren Pengrong (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Wang Qian (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Wang Xin (Shaanxi Province Thin Film Technology and Optical Test Open Key Laboratory, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China) ,  Wang Lu (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Wang Jing (Department of Mechanical, Materials and Manufacturing Engineering, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK) ,  Fan Huiqing (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Zhao Gaoyang (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 174  ページ： 197-200  発行年： 2016年07月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_1-xY_xTiO₃(BYT),BaTi_1-yY_yO_3-y/2BTY)およびBa_1-zY_zTi_1-zY_zO₃(BYTY)を固相反応法で作製した。それらの格子定数と溶解度を決定した。そしてドーピングサイト,濃度,および電気特性の間の相関関係研究した。AサイトでのY³⁺のドーピング(これは電子補償に関連する)はBYT中の高い電導につながり,これは巨大な誘電率と大きい誘電損失を伴う。しかしながら,BTYは比較的絶縁性である。これはそのドーピング機構が酸化物イオンの電荷補償に支配されているためである。BYTYは自己補償されるが,より半導体的に挙動する。これは恐らく高温での焼結の間の酸素欠損のためである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  *イットリウム化合物 ,  固相合成 ,  *誘電率 ,  誘電損失 ,  *格子定数 ,  *溶解度 ,  *電気特性 ,  *ドーピング

著者キーワード (3件)： BaTiO₃ ,  Dielectrics ,  Electrical properties

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： イットリウム ,  ドーピング ,  BaTiO3 ,  電気特性