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J-GLOBAL ID：201602275322900940   整理番号：16A0323071

半導体素子の中性子誘起シングルイベント効果のレビュー【Powered by NICT】

Review of neutron induced single event effects on semiconductor devices

著者 (11件)： Yang Shanchao (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Qi Chao (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Liu Yan (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Guo Xiaoqiang (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Jin Xiaoming (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Chen Wei (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Bai Xiaoyan (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Lin Dongsheng (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Wang Guizhen (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Wang Chenhui (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an) ,  Li Bin (State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Inst. of Nuclear Technology), Xi’an)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 27  号： 11  ページ： 110201-1-110201-7  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの中性子誘起単一イベント効果(SEE)の総説を述べ,原子力技術の北西研究所西安におけるパルス炉を用いた研究の進展に注目した。定常およびパルス中性子誘起SEEの比較を示した。フィーチャサイズのスケールダウンに伴いSRAMベース集積回路の感受性増加の物理的機構を解析した。サブミクロン特徴サイズをもつCMOS LSIとして,中性子誘起SEEは,中性子照射下で支配的放射線損傷機構となっている。今後の研究は,変位損傷効果に加えて中性子誘起SEEにもっと注意を払うべきである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： LSI【IC】 ,  パルス中性子型原子炉 ,  SRAM ,  集積回路 ,  中性子照射 ,  *半導体素子 ,  放射線 ,  *中性子 ,  CMOS
準シソーラス用語： パルス中性子 ,  *SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体素子 ,  中性子 ,  誘起 ,  シングルイベント効果 ,  レビュー