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J-GLOBAL ID:201602275411582928   整理番号:16A0337006

CuワイヤボンディングのCu-Al金属間化合物の成長に関するその場研究【Powered by NICT】

In-situ investigation on the growth of Cu-Al intermetallic compounds in Cu wire bonding
著者 (5件):
資料名:
巻: 64  号: 21  ページ: 216804-1-216804-7  発行年: 2015年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Mooreの法則によれば,半導体素子になって小さくの特徴サイズとして,チップ統合度は増加を続けた。特に,高いチップ統合と単位サイズ減少,金属相互接続,すなわちの発達に伴う。ワイヤボンディングは,挑戦的な問題となっている。銅ワイヤは,ワイヤボンディングのための優れた金属である,金ワイヤの代わりと考えられている,低コスト,良好な電気伝導率および熱伝導率などの魅力的な利点に起因した。しかし,銅ワイヤとアルミニウムパッドの界面における過剰のCu/Al金属間化合物(IMC)は接触抵抗が増加すると結合強度を低下させる。これは,デバイスの特性と信頼性に影響する。現在,界面微細構造とともに熱条件の下での結合界面でのCu/AlのIMCの成長機構の変化はまだ不明である。その場透過型電子顕微鏡(TEM)は高空間分解能と強い解析能力を持っている。高速CCDカメラ,TEMはまた試料の動的構造変化を実時間で記録することができる。多機能保持者と組み合わせて,TEMも試料に対する多様な場と負荷をかけ,その構造と成分の変化をモニターするために同期できる。従って,その場TEMは,Cu/AlのIMCの構造発展と成長機構を探求するために先進技術を与えた
,Cu/AlのIMC成長機構は,その場高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)に基づいて50-220°Cのアニーリング温度で調べた。特に,アニーリング中のCu/AlのIMCの動的成長及び構造発展を実時間で記録した。結果は,分離したCu/AlのIMCは熱処理前の接合界面に分布していることを示した。IMCの主成分はCu_9Al_4であるが,IMCのマイナー成分はCuAl_2である。50-220°C24時間のアニーリング後,Cu層近傍のCu/AlのIMCはCu_9Al_4であり,一方Cu層から離れてCu-Al IMCはCuAl_2である。一方,反応速度と種々の温度でのCu/AlのIMCの活性化エネルギーを計算した。さらに,Cu/AlのIMCのより正確な成長方程式は,また,in situ実験の結果,ボンディングプロセスの最適化とCu/Alワイヤボンディングの信頼性利益をもたらすに基づいて提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属薄膜  ,  半導体薄膜  ,  数理物理学 

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