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J-GLOBAL ID：201602275572296046   整理番号：16A0078562

ルビジウム蒸気レーザの狭線幅776nmレーザの実現【Powered by NICT】

Realization of Narrow Linewidth 776 nm Laser and Its Impact on Rubidium Vapor Lasers

著者 (5件)： Zuo Lei (Coll. of Optoelectronic Sci. and Engineering, National Univ. of Defense Technol., Hunan, Changsha) ,  Hua Weihong (Coll. of Optoelectronic Sci. and Engineering, National Univ. of Defense Technol., Hunan, Changsha) ,  Yang Zining (Coll. of Optoelectronic Sci. and Engineering, National Univ. of Defense Technol., Hunan, Changsha) ,  Wang Hongyan (Coll. of Optoelectronic Sci. and Engineering, National Univ. of Defense Technol., Hunan, Changsha) ,  Xu Xiaojun (Coll. of Optoelectronic Sci. and Engineering, National Univ. of Defense Technol., Hunan, Changsha)
資料名： Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan  (Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan)
巻： 52  号： 3  ページ： 031402-1-031402-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2698A  ISSN： 1006-4125  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ダイオードポンプアルカリ蒸気レーザ(DPAL)は高出力レーザ場中の候補である。高電力ポンピングの条件下で,イオン化過程をDPAL’s利得媒質,レーザ性能に負のインパクトを与えてきたと考えられる。主要なルビジウム原子イオン化チャネルの一つは780nmダイオードポンプ源の776mの遠翼スペクトル成分によって誘起されたカスケード効果(5S→5P→5D)である。ルビジウムDPALのイオン化の程度を定量的に測定するために,周波数-狭い776nm高パワー半導体光源は780nmポンプ光の遠翼をシミュレートするのに必要である。Littrow配置に基づいて,リネンタルロード776nm半導体レーザ出力を実現し,0.15nm以下のスペクトル線幅,出力電力10W以上の,および外部共振器効率67%であった。780nmと776nmのカスケード励起を用いて,蛍光信号の顕著な増強を観測した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 噴泥 ,  半導体 ,  *レーザ ,  電力トランジスタ ,  レーザ出力 ,  蛍光 ,  イオン化 ,  *ルビジウム ,  スペクトル線幅 ,  高出力レーザ ,  *水蒸気
準シソーラス用語： 外部共振器 ,  ポンプ光 ,  利得媒質 ,  *線幅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 音響変換器,その他の機器  (BB03060N) ,  オーディオ機器  (NC06010U) ,  発光素子  (NC03082G) ,  電気物性一般  (BM03010R) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  その他の情報処理  (JE15050M) ,  その他の通信応用  (ND15000K) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ルビジウム ,  蒸気 ,  レーザ ,  線幅