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J-GLOBAL ID：201602276096366525   整理番号：16A0958242

量子障壁構造SI基板GAN基緑光LEDの光電性能への影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Quantum Barrier Structures on Photoelectric Properties of GaN-based Green LED on Si Substrates

著者 (3件)： Tang Yingwen (College of Physics and Information Engineering, Minnan Normal University) ,  Xiong Chuanbing (College of Physics and Information Engineering, Minnan Normal University) ,  Jing Xiaoyu (National Engineering Technology Research Center for LED on Si Substrate, Nanchang University)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 3  ページ： 327-331  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SI基板上でエピタキシャルに成長した3つの異なる量子障壁構造の緑色ウエハを垂直構造のチップを作成した3つの量子障壁構造をそれぞれGAN、IN_(0.05)GA_(0.95)N/GA_(0.9)AL_(0.1)N/IN_(0.05)GA_(0.95)N、IN_(0.05)GA_(0.95)N/GAN/IN_(0.05)GA_(0.95)N,対応の3種のチップ試料はA、B、Cであり,3つのサンプルの変温電致ルミネセンス特性を調べた。障壁構造の変化は光パワーに及ぼす影響は小さかったが,しかしスペクトル性能に有意な変化を引き起こす,結果は次の通りである:低温(13K)で大電流の下では,電流密度の増加に伴い,サンプルのELスペクトルピーク波長のブルーシフトはより顕著であった,程度は順にB>A≒C;であった。高温(300 K)で小電流の下では,電流密度の増大に伴い,試料ELスペクトルのピーク波長が青方偏移度の大きさは順にA>B > Cであった。また,温度の上昇に伴い,試料の大部分の電流でのELスペクトルピーク波長は「S」型の波長ドリフトが現れ,極端な電流の下で,同一電流で,異なるドリフトの場合を示した。これらの現象と局II状態、応力、電界、バンド幅などの因子が関与する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドリフト ,  低温 ,  青方偏移 ,  エピタクシー ,  電場 ,  高温 ,  ルミネセンス ,  帯域幅 ,  電流密度 ,  *電流 ,  スペクトル ,  波長
準シソーラス用語： 大電流 ,  *光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： quantum barrier structure ,  green LED ,  electroluminescence ,  Si substrate ,  MOCVD

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子 ,  障壁 ,  Si基板 ,  GaN ,  LED ,  光電